I data center per l’intelligenza artificiale consumano così tanta corrente che va rifatto l’impianto elettrico. Nvidia ha scelto come standard per le prossime “AI factory” la distribuzione a 800 volt in corrente continua, e questo cambio sposta la domanda verso un materiale preciso: il carburo di silicio (SiC), lo stesso che finora cresceva quasi solo grazie alle auto elettriche. Il tema l’ha raccontato il canale cinese 半导体产业纵横 su Bilibili. Abbiamo verificato i dati sulle fonti dei produttori e della stampa di settore.
Cosa cambia con gli 800 volt
Nvidia ha presentato l’architettura a 800 V al Computex 2025 e l’ha descritta nei dettagli in un white paper all’OCP Global Summit di ottobre 2025. Il passaggio è previsto a partire dal 2027. Lo schema ha due soli passaggi:
- fuori dalle sale, la media tensione della rete (13,8 kV in corrente alternata) diventa direttamente 800 V in corrente continua;
- dentro gli armadi, gli 800 V scendono alle poche decine di volt (e poi a meno di 2 V) che servono alle GPU.
Oggi invece la corrente passa da trasformatori tradizionali da diverse tonnellate, poi da UPS e alimentatori, con una conversione dopo l’altra: ogni passaggio perde un po’ di energia e occupa spazio. Con rack che si avvicinano al megawatt, quelle perdite pesano. Se ti chiedi perché un’azienda di schede video entri nell’impiantistica, basta guardare quanto consumano le schede di cui parliamo nell’articolo sulla RTX 5090 da 96 GB.
Il trasformatore a stato solido
Il primo passaggio lo fa un trasformatore a stato solido (SST): invece di lavorare alla frequenza della rete, commuta la corrente a decine di migliaia di volte al secondo, e a frequenza più alta il nucleo magnetico può essere molto più piccolo. Delta, uno dei principali fornitori di alimentatori per server, dichiara per il suo SST un’efficienza fino al 98,5% e perdite di energia ridotte di oltre il 30% rispetto alla catena tradizionale.
Per commutare così veloce a tensioni così alte servono MOSFET in carburo di silicio, che sopportano migliaia di volt con perdite basse. A settembre 2026 Infineon ha annunciato che fornirà i suoi componenti SiC per il trasformatore MVSST 2.0 di Eaton, che Eaton indica tra i primi SST a media tensione con certificazione IEC; le due aziende studiano già moduli da 2,3 e 3,3 kV. Prototipi e piattaforme sono arrivati anche da Delta e da altri grandi nomi dell’energia, e nel video il canale cita diversi produttori cinesi al lavoro sullo stesso tipo di macchina.
Gli interruttori senza scintilla
Il secondo problema è la protezione. In corrente alternata la tensione passa per lo zero 100 volte al secondo, e l’arco elettrico di un interruttore che si apre si spegne quasi da solo. In corrente continua lo zero non c’è: a 800 V un interruttore meccanico è lento e fatica a spegnere l’arco. La soluzione sono gli interruttori a stato solido, che tagliano un guasto in microsecondi con un semiconduttore, senza parti in movimento.
Qui il componente più adatto non è il MOSFET ma il JFET in carburo di silicio. Secondo il video i motivi sono tre:
- meno calore: a parità di superficie del chip la resistenza in conduzione è circa la metà di quella di un MOSFET, ed è un vantaggio decisivo per un componente che resta acceso per anni;
- più robustezza: non ha lo strato di ossido sotto il gate, il punto debole dei MOSFET durante i cortocircuiti;
- è “normalmente acceso”: conduce senza tensione sul gate, cioè proprio lo stato in cui un interruttore passa quasi tutta la vita.
Il limite è che per spegnerlo serve una tensione negativa. onsemi lo risolve con una versione “combo” che mette nello stesso componente il JFET e un piccolo MOSFET, così si pilota come un componente normale.
Chi produce i JFET
Di MOSFET al carburo di silicio ce ne sono tanti. I JFET invece li fanno in pochi, perché richiedono processi dedicati:
| Azienda | Cosa ha fatto |
|---|---|
| onsemi | ha comprato da Qorvo il business dei JFET SiC (United Silicon Carbide, pioniere di questa tecnologia) per 115 milioni di dollari, annuncio di dicembre 2024 |
| Infineon | a maggio 2025 ha presentato i CoolSiC JFET: da 2,3 milliohm a 1200 V e da 1,5 milliohm a 750 V, pensati per interruttori a stato solido e data center AI |
Nel video si parla anche di un produttore cinese che avrebbe avviato la produzione di JFET su wafer da 8 pollici: non abbiamo trovato conferme indipendenti. La rincorsa cinese sui semiconduttori è comunque un tema ricorrente, dalla sorgente EUV di Langdao Silex ai PC con CPU cinesi negli uffici pubblici.
Perché conta
Finora la crescita del carburo di silicio dipendeva quasi tutta dalle auto elettriche. L’alimentazione dei data center AI è il primo mercato fuori dall’auto abbastanza grande da cambiare i conti dei produttori. Secondo il canale, a fare la differenza dal 2027 non sarà chi annuncia per primo un componente, ma chi avrà capacità produttiva su 8 pollici, componenti affidabili in cortocircuito e i primi contratti con chi costruisce le macchine. Per il quadro generale su modelli e servizi AI c’è la nostra guida all’intelligenza artificiale.
Fonte: video di 半导体产业纵横 su Bilibili; dati da Nvidia (sintesi di Dell’Oro), Delta, Infineon ed Eaton, onsemi.
