La prossima generazione di memoria RAM si decide adesso, e per la prima volta un’azienda cinese è al tavolo. Alla presentazione dei conti del terzo trimestre, il 30 ottobre 2026, CXMT (Changxin Memory) ha detto di aver completato la validazione dei campioni ingegneristici della sua sesta piattaforma di processo, costruita sull’architettura 4F²: i primi moduli DDR5 per server arriveranno ai clienti entro la fine dell’anno. Nove giorni prima Micron, uno dei tre giganti della DRAM, aveva annunciato agli investitori che il 4F² lo salta del tutto. Un video del canale 龙科多工作室 su Bilibili spiega cosa c’è dietro la parola 4F² e perché le due strade sono così diverse: qui lo riassumiamo, controllando i dati sulle fonti di settore.
Cos’è una cella 4F²
Nella DRAM ogni bit sta in una cella fatta da un transistor e un condensatore (1T1C): il condensatore tiene la carica che vale 0 o 1, il transistor fa da interruttore per leggere e scrivere. L’area della cella si misura in multipli di F², dove F è la dimensione minima che il processo sa disegnare. Le prime DRAM occupavano 8F² per cella; stringendo transistor e condensatore si è passati a 6F², che è l’architettura di tutte le memorie in commercio oggi.
Il video usa un’immagine efficace: è come dividere un appartamento in stanze sempre più piccole. Il limite fisico della struttura planare è 4F²: sotto, transistor e condensatore iniziano a perdere corrente. Per arrivarci bisogna mettere il transistor in verticale invece che sdraiato, con il gate che circonda il canale. È lo stesso passo che serve per la DRAM 3D, in cui le celle vengono impilate a strati come già si fa con la memoria flash: per questo Samsung, SK hynix e CXMT considerano il 4F² un gradino obbligato verso il 3D, non un vicolo cieco.
Cosa ha annunciato CXMT
Secondo la cronaca della call riportata da SMM, i campioni ingegneristici della piattaforma a canale verticale 4F² hanno superato la validazione, cioè le prestazioni misurate sui wafer reali corrispondono al progetto. Il primo prodotto non sarà una memoria per PC ma un modulo DDR5 RDIMM per server, che unisce la nuova cella all’hybrid bonding, la saldatura diretta di due wafer; i campioni ai clienti sono previsti entro fine 2026 e l’azienda cita oltre 300 famiglie di brevetti pubblicate. La produzione di massa, dice CXMT, sarà graduale e dipenderà dalle verifiche dei clienti e dalla domanda: nessuna data, e, come fa notare Sammy Fans, nessun dato sulle rese.
Il confronto con i coreani è il punto che il canale sottolinea. Samsung ha mostrato all’ISSCC di febbraio 2026 un chip 4F² da 16 Gb con transistor a canale verticale e hybrid bonding, ma secondo il video la produzione vera arriverà a fine 2027 (altre stime di settore dicono 2028). SK hynix lavora a una variante “vertical gate” ed è ancora in fase di progettazione. Se le date reggono, CXMT sarebbe la prima a mettere campioni 4F² nelle mani dei clienti.
Perché Micron dice di no
Il 21 ottobre Micron ha spiegato agli investitori che salterà il 4F² e continuerà a stringere il 6F² per altre generazioni, per poi passare direttamente alla DRAM 3D, di cui ha già due generazioni in roadmap. L’argomento tecnico del responsabile della tecnologia Scott DeBoer, riportato da HotHardware: quante celle entrano in un wafer lo decidono le dimensioni e il passo dei condensatori, non l’area nominale del transistor, quindi il taglio di un terzo dell’area promesso dal 4F² resta “sulla carta” e non vale la complessità e i costi di produzione che aggiunge.
Il canale non si fida del tutto e avanza un’ipotesi che va presa per quello che è, un’opinione: Micron, dice, ha studiato il 4F² per oltre vent’anni, e con il titolo in calo dai massimi di giugno preferisce non ammettere di essere dietro a CXMT su una tecnologia; da qui il salto diretto al 3D, di cui però non ha mostrato dettagli. A sostegno cita un precedente: intorno al 2021 Samsung e SK hynix introdussero la litografia EUV nelle DRAM mentre Micron ripeteva che non serviva ancora, salvo ordinare le macchine ASML poco dopo e avviare la produzione EUV a Hiroshima nel 2025, ultima dei tre. È la stessa storia dell’EUV cinese di Langdao: le roadmap dei chip si riscrivono più spesso di quanto sembri.
Cosa cambia per chi compra RAM
Nel breve, niente: i moduli 4F² di CXMT sono per i server, e la DRAM che compri per il PC o che sta nel telefono resterà 6F² ancora per anni. Nel medio periodo la posta è alta. Più celle per wafer vuol dire più gigabyte a parità di costo, in un momento in cui la memoria è contesa dai data center dell’AI: Sam Altman ha appena detto che la RAM nei PC è sprecata e andrebbe ai data center, e chi prova a far girare un modello come Qwen 3.8 in locale sa quanto la memoria sia il collo di bottiglia. Non a caso a Shenzhen si modificano le GeForce per raddoppiarla, come nelle RTX 4090 da 48 GB e nelle RTX 5090 da 96 GB.
C’è poi il lato geopolitico. CXMT è nata inseguendo Samsung, SK hynix e Micron con anni di ritardo; con il 4F² partecipa per la prima volta a definire la roadmap della memoria invece di copiarla, ed è il motivo per cui il video chiude con un certo orgoglio. Se davvero i campioni DDR5 arriveranno entro dicembre, il 2027 dirà chi aveva ragione tra chi spreme il planare fino all’ultimo F² e chi, come Micron, scommette tutto sul salto al 3D.
Fonte: video di 龙科多工作室 su Bilibili; dati di SMM, HotHardware e Sammy Fans.
